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碳化硅工艺设备
碳化硅工艺设备
2021-08-02T15:08:10+00:00
一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社
2022年12月1日 积分商城 全站 当前频道 文章 行业动态 详情 一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 发布时间： 来源：罗姆半导体社区 (https://rohmeefocus) 标签： 罗姆 ROHM SiC 分享到： 半导体产业 2022年12月15日 产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽” 集微网报道，2022年以来，受全球消费电子市场整体放缓以及新冠疫情反复的影响，半导体产业在经历了持续良 产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻
顺利开幕2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导
2023年5月6日 开幕大会现场 2023年5月5日，“2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术发展论坛”在长沙盛大召开。 论坛在第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导下，由极智半导体产业网与中国电子科技集团 2023年5月8日 在平行论坛“碳化硅关键装备、工艺及配套材料技术”中，特思迪半导体工艺部部长孙占帅带来了“先进抛光技术助力量产型大尺寸碳化硅制造”议题演讲。 从抛光工艺 特思迪赋能共赢产业未来｜2023碳化硅关键装备、工艺及
行 业 研 机械设备 关注碳化硅设备国产化突破和加速 究 2023
2023年2月26日 设备国产化进度:整体国产化率低,长晶设备基本实现国产化 6 4、 产业链拆解:重点推荐衬底 2023年4月25日 国内外碳化硅装备发展状况 SiC产业环节及关键装备 • 来源：汽车半导体情报局 • 10:44 • 次阅读 • 个评论 第三代 半导体 材料SiC具备 国内外碳化硅装备发展状况 SiC产业环节及关键装备 模拟
工艺详解碳化硅晶片的工艺流程 知乎
2020年12月8日 研磨根据工艺的不同可分为粗磨和精磨。 粗磨主要是去除切割造成的刀痕以及切割引起的变质层，使用粒径较大的磨粒，提高加工效率。 精磨主要是去除粗磨留下的表面损伤层，改善表面光洁度，并控制表面面形和晶片的厚度，利于后续的抛光，因此使用粒径较细的磨粒研磨晶片。2021年6月11日 1 碳化硅的制备方法 碳化硅产业链主要包含粉体、 单晶材料、 外延材料、 芯片制备、 功率器件、 模块封装和应用等环节。 SiC 粉体：将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合， 于2,000 ℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒， 再经过破碎、 清洗等加工工序， 获得可以满足晶体生长要求的高纯度碳化硅 第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 知乎
碳化硅 ~ 制备难点 知乎
2023年3月13日 而碳化硅衬底的抛光工艺可分为粗抛和精抛，粗抛为机械抛光，主要用于去除研磨后衬底表面的损伤、进行平坦化处 理，目前较为主流的是使用化学机械抛光。外延工艺效率低：碳化硅的气相同质外延一般 2024年1月17日 受益于碳化硅下游市场需求逐步放大，国内多个碳化硅外延项目发布了扩产和新建开工的计划： 一代工艺一代设备，外延生长在SiC器件制造成本中占比超20%，SiC外延炉是 第三代半导体SiC器件制造的核心装备之一。下游市浅析国产碳化硅外延炉设备 知乎
一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社区
2022年12月1日 在碳化硅工艺制造过程中，典型的高能离子注入设备主要由离子源、等离子体、吸出组件、分析 磁体、离子束、加速管、工艺腔和扫描盘等组成，如图2所示。 SiC离子注入通常在高温条件下进行，以最大程度减少离子轰击对晶格的损坏。对于4HSiC 2023年10月27日 国内激光切割工艺主要设备 供应商为大族激光、德龙激光。大族激光作为国内激光厂商龙头，SiC晶锭激光切片机已交付验证。德龙激光专注于高端激光设备和精细微加工，是国内唯二SiC切片设备供应厂商。大族激光为德龙激光唯一竞争对手，市占 碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关
晶盛机电:迈向半导体+碳化硅设备龙头,设备+零部件布局铸造
2023年7月17日 半导体硅片生产 工序流程与光伏硅片相似，但不同之处在于： 1）光伏长晶炉在整线中价值量占比超过 80%，而半导体硅片设备中单晶炉、切磨抛 设备、外延炉在整线中价值量占比均较高； 2）由于技术壁垒较高，半导体硅片单台价值量远高于光伏。 长晶工 2023年4月26日 工艺流程与硅基器件大体类似，材料不同要求特定工艺与设备。碳化硅 器件也包括器件设计、晶圆制造和封测等环节，晶圆制造主要包括涂胶、 显影、光刻、清洗、减薄、退火、掺杂、刻蚀、氧化、磨削、切割等前 道工艺约三百多道工序。碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速
碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有
2022年3月2日 碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有望突破 1 SiC 碳化硅：产业化黄金时代已来；衬底为产业链核心 11 SiC 特点：第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越 半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。 核心分 2023年2月26日 设备是决定各厂商产能上限的决定性因素。 碳化硅产业资本开支加速，供应链安全可控助力国产碳化硅设备厂商突围 碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致，但部分工艺段使 用专用设备，部分需要在硅设备基础上加以改进。行 业 研 机械设备 关注碳化硅设备国产化突破和加速 究 2023
国内外碳化硅装备发展状况 SiC产业环节及关键装备 模拟
2023年4月25日 第三代半导体材料SiC具备熔点高、硬度大、稳定性好等特点，其制备工艺需要开发一些独特的工艺装备，主要涉及SiC单晶生长、衬底制备、外延生长和离子注入机及高温氧化炉等芯片制程关键装备。 根据SiC技术及产业的发展特点，分析了当前SiC工艺设备特点及应用现状，展望了设备的未来发展趋势。2023年11月12日 虽然碳化硅产能扩建一片红红火火，但想要大规模起量乃至获得高额收益，至少要等到2025年以后了，如今都不过是在烧钱布局罢了，最先从中受益的反而是设备厂商，由于碳化硅的扩建扩产，相关设备市场皆呈现供不应求的状态，Insemi预计2025年碳化 2025市场达200亿，碳化硅关键设备企业迎历史机遇产能
顺利开幕2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导
2023年5月6日 开幕大会现场 2023年5月5日，“2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术发展论坛”在长沙盛大召开。 论坛在第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导下，由极智半导体产业网与中国电子科技集团 2023年12月1日 从上图可见，碳化硅与硅器件的制造方法相近，但由于碳化硅与硅材料性质不同，一些工艺存在较大差异 （1） 离子注入是最重要的工艺。 硅器件制造中可以采用扩散、离子注入的方法进行掺杂，但碳化硅器件只能采用离子注入掺杂。 因为 碳硅结合力较强 半导体碳化硅（SIC）功率器件的制造； 知乎
碳化硅新工艺：提速、升数、降本 知乎
2023年11月30日 据报道DIALOGIC设备的占地面积比比较少，同时生产效率还很高，可以达到每小时加工约10片的碳化硅晶圆。 并且该设备还兼容6和8英寸的晶圆。 新工艺的提出总是围绕着质量、成本、效率等几方面综合考虑，在带来便利的同时起到降本增效的作用。2021年7月3日 其中大部分的难度都是碳化硅材料高熔点和高硬度所需特殊工艺带来的。碳化硅 碳化硅退火温度高达 1600℃，这对设备和工艺 控制都带来了极大 揭秘第三代芯片材料碳化硅 国产替代黄金赛道芯片碳化硅
碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有
2022年3月22日 将 助于为客户开展半导体设备和工艺的测试验证、构建 良好客户关系，强化公司产业 链配套先发优势。3) 年产 80 台套半导体材料抛光及减薄设备 2023年6月28日 摘要：近日，晶盛机电成功研发出具有国际先进水平的8英寸单片式碳化硅外延生长设备，引领国内碳化硅行业技术升级。该设备可实现掺杂均匀性4%以内的外延质量，是晶盛机电在第三代半导体设备领域的又一次重要技术突破。近日，晶盛机电成功研发出具有国际先进水平的8英寸单片式碳化硅外延 晶盛机电成功研发8英寸碳化硅外延设备腾讯新闻
我想了解一下碳化硅的生产工艺？ 知乎
2021年12月24日 第三代半导体，以碳化硅为代表，其具有禁带宽度大，击穿电场高， 饱和电子 漂移速度高，导热率大等特点，特别是在1200V的高压环境中，有着明显的优势。 SIC晶体具有与GaN材料高匹配的 晶格常数 和热膨胀系数以及优良的热导率，是 GaN基 的理想衬底材料，如 2020年6月10日 碳化硅的合成、用途及制品制造工艺 碳化硅 (SiC)，又称金刚砂。 1891年美国人艾契逊 (Acheson)发明了碳化硅的工业制造方法。 碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。 其中加入木屑是为了使块状混合物在高 碳化硅的合成、用途及制品制造工艺
为什么碳化硅要用外延，而不是直接切一片厚的晶圆？
2023年8月19日 在国产外延设备方面，北方华创、晶盛机电等企业开始小批量生产碳化硅外延设备，且当下存在发展的良机。 一是目前国内外延片的制备受限于设备交付环节（疫情等原因），无法快速放量，主流碳化硅高 2021年7月21日 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。碳化硅，第三代半导体时代的中国机会新华网
市场国产碳化硅外延炉设备竞争江湖 电子工程专辑 EE
2023年6月29日 碳化硅外延设备环节市场“蛋糕”不断增大，随着新入局的玩家增多，机台结构逐步优化，在生长速率，COO成本、设备稳定性、维护便利性和可靠性等方面稳步提升，以及大尺寸设备的开发推进，国产替代步伐加快，碳化硅外延环节的降本指日可待！ 我们 2020年6月16日 半导体制造之设备篇 半导体需要的设备比较繁杂，在晶圆制造中，由于光刻、刻蚀、沉积等流程在芯片生产过程中需要20到50次的反复制作，是芯片前端加工过程的三大核心技术，其设备价值也最高，但半导体制造设备远远不止这些，本文将一一比较国产化 半导体制造之设备篇：国产、进口设备大对比 知乎
8英寸碳化硅晶圆，这么难的吗？腾讯新闻
2021年8月4日 这也就带来了SiC晶体制备的两个难点： 1、 生长条件苛刻，需要在高温下进行。 一般而言，SiC气相生长温度在 2300℃以上，压力 350MPa，而硅仅需 1600℃左右。 高温对设备和工艺控制带来了极高的要求，生产过程几乎是黑箱操作难以观测。 如果温度 2023年6月30日 其中，碳化硅外延片是制作碳化硅电力电子器件的关键材料。相较于此前生产的6英寸外延设备，此次发布的8英寸碳化硅外延设备生产出的外延片边缘损耗更小、可利用面积更大，未来通过产量和规模效益的提升，成本有望降低60%以上。中国电科48所率先发布国产8英寸碳化硅外延设备 湖南省工业
一文看懂半导体刻蚀设备 知乎
2021年10月11日 2工艺升级带动刻蚀机用量增长，技术壁垒极高 制程升级带动刻蚀机使用提升 刻蚀设备并未出现技术路线明显分化 半导体刻蚀行业壁垒极高，技术未显著分化但格局高度集中 3刻蚀设备有望率先完成国产替代 国内设备最成熟领域，国产替代率较高2021年7月21日 单晶生长工艺 正追赶世界先进水平 今年1月，湖南省首个第三代半导体产业园及国内首条碳化硅研发生产全产业链产线封顶。据介绍，该项目主要包含碳化硅长晶、衬底、外延、芯片、器件封装等厂房及相关配套设施建设，项目全面建成投产后 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会
本土超20条碳化硅晶圆产线大盘点！ 知乎专栏
2021年10月15日 泰科天润总部坐落于北京，在北京和湖南分别拥有4英寸和6英寸碳化硅半导体工艺晶圆生产线。据泰科天润近日发布消息，目前生产线已通线，进入试生产阶段，工艺设备调通，投片40工程批次以上，综合良率90%以上，预计9月份完成可靠性实验，批量化出 2023年2月27日 开源证券：产业资本开支加速 助力国产碳化硅设备厂商突围 智通财经APP获悉，开源证券发布研究报告称，碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同 开源证券：产业资本开支加速 助力国产碳化硅设备厂商突围
芯趋势丨碳化硅扩产如火如荼，国内生态链疾进 新浪
2023年1月11日 2022年，碳化硅（SiC）领域的扩产和收并购动作，是全球性现象。 无论是沉淀相对深厚的Wolfspeed和意法半导体，还是国内产业链公司，都在积极推进 2023年4月3日 碳化硅产业链主要由衬底、外延、器件、应用等环节组成。 碳化硅晶片作为半导体衬底材料，根据电阻率不同可分为导电型、半绝缘型。 导电型衬底可用于生长碳化硅外延片，制成耐高温、耐高压的碳化硅 碳化硅产业链研究 知乎
第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代 知乎
2021年8月16日 碳化硅器件产业链主要由上游衬底材料及外延、中游器件制造、下游应用，以及各环节所用设备构成。 目前产业的参与者主要以两类海外厂商为主： 1、传统功率半导体龙头： 英飞凌（欧洲）、意法半导 2020年6月16日 碳化硅器件的制备方面，个人理解主要有 1 光刻对准，相较于传统硅片，双面抛光的碳化硅晶圆是透明的，光刻对准是一个难点 2 离子注入和退火激活工艺，由于碳化硅材料的特性，制备器件时掺杂只能靠离子注入的方式，而且需要高能粒子注入。碳化硅器件目前有什么生产难点？？ 知乎
碳化硅（SIC）晶体生长方法之——化学气相沉积法的详解；
2023年10月30日 由于不同的工艺条件对等离子体组成的作用强度不同，造成薄膜中的原子具有不同的键和形式，从而引起薄膜的结构、光学性质、运输特性的巨大差异。热丝化学气相沉积系统（HFCVD） 设备简单，工艺条件较易控制，金刚石膜生长速率比化学输运法快。2023年6月30日 根据SEMI统计，2021年全球半导体设备行业市场规模为102640亿美元，同比增长4418%，其中中国市场为29620亿美元。随着下游应用领域的快速发展，半导体产业面临着新型芯片或先进工艺的产能扩张需求，为半导体设备行业带来广阔的市场空间。芯片是怎么来的，离不开晶体生长设备
陶瓷3D打印——碳化硅烧结技术 知乎
2023年3月28日 该工艺不足在于设备及工艺复杂，模具材料要求高，只能制备简单形状的零件，生产效率较低，生产成本高，适用于高性能要求、高附加值产品的生产。热压烧结碳化硅密度可达317 g/cm^3~322 g/cm^3，弹性模量440GPa~450GPa，弯曲强度487MPa~770MPa。2021年11月7日 智东西 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。 碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。 受益于 5G 通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等 揭秘碳化硅，第三代半导体材料核心，应用七大领域，百亿
碳化硅的制备及应用最新研究进展 汉斯出版社
该法生产的碳化硅粉体不够细，杂质多，能耗低，效率低，但由于操作工艺简单，仍被广泛用于碳化硅的制备。 以下是几种常见的固相法。 1) 机械粉碎法：将粉体颗粒状的碳化硅在外力作用下将他研磨煅烧一系列操作后得到超细粉体，该工艺及设备简单，成本也低，但效率高，缺点就是反应中易 2023年4月17日 但 HTCVD 法的长晶速度较慢，约 0405mm/h，工艺设备昂贵，耗材 成本高，长晶过程中进气口和排气口易堵塞。 LPE 法利用“溶解析出”原理生长碳化硅晶体，在 14001800℃下将碳溶解在高温纯硅 溶液中，再从过饱和溶液中析出碳化硅晶体，需添加 碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星 腾讯网
工艺详解碳化硅晶片的工艺流程 知乎
2020年12月8日 研磨根据工艺的不同可分为粗磨和精磨。 粗磨主要是去除切割造成的刀痕以及切割引起的变质层，使用粒径较大的磨粒，提高加工效率。 精磨主要是去除粗磨留下的表面损伤层，改善表面光洁度，并控制表面面形和晶片的厚度，利于后续的抛光，因此使用粒径较细的磨粒研磨晶片。2021年6月11日 1 碳化硅的制备方法 碳化硅产业链主要包含粉体、 单晶材料、 外延材料、 芯片制备、 功率器件、 模块封装和应用等环节。 SiC 粉体：将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合， 于2,000 ℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒， 再经过破碎、 清洗等加工工序， 获得可以满足晶体生长要求的高纯度碳化硅 第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 知乎
碳化硅 ~ 制备难点 知乎
2023年3月13日 而碳化硅衬底的抛光工艺可分为粗抛和精抛，粗抛为机械抛光，主要用于去除研磨后衬底表面的损伤、进行平坦化处 理，目前较为主流的是使用化学机械抛光。外延工艺效率低：碳化硅的气相同质外延一般 2024年1月17日 受益于碳化硅下游市场需求逐步放大，国内多个碳化硅外延项目发布了扩产和新建开工的计划： 一代工艺一代设备，外延生长在SiC器件制造成本中占比超20%，SiC外延炉是 第三代半导体SiC器件制造的核心装备之一。下游市浅析国产碳化硅外延炉设备 知乎
一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社区
2022年12月1日 在碳化硅工艺制造过程中，典型的高能离子注入设备主要由离子源、等离子体、吸出组件、分析 磁体、离子束、加速管、工艺腔和扫描盘等组成，如图2所示。 SiC离子注入通常在高温条件下进行，以最大程度减少离子轰击对晶格的损坏。对于4HSiC 2023年10月27日 国内激光切割工艺主要设备 供应商为大族激光、德龙激光。大族激光作为国内激光厂商龙头，SiC晶锭激光切片机已交付验证。德龙激光专注于高端激光设备和精细微加工，是国内唯二SiC切片设备供应厂商。大族激光为德龙激光唯一竞争对手，市占 碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关
晶盛机电:迈向半导体+碳化硅设备龙头,设备+零部件布局铸造
2023年7月17日 半导体硅片生产 工序流程与光伏硅片相似，但不同之处在于： 1）光伏长晶炉在整线中价值量占比超过 80%，而半导体硅片设备中单晶炉、切磨抛 设备、外延炉在整线中价值量占比均较高； 2）由于技术壁垒较高，半导体硅片单台价值量远高于光伏。 长晶工 2023年4月26日 工艺流程与硅基器件大体类似，材料不同要求特定工艺与设备。碳化硅 器件也包括器件设计、晶圆制造和封测等环节，晶圆制造主要包括涂胶、 显影、光刻、清洗、减薄、退火、掺杂、刻蚀、氧化、磨削、切割等前 道工艺约三百多道工序。碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速
碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有
2022年3月2日 碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有望突破 1 SiC 碳化硅：产业化黄金时代已来；衬底为产业链核心 11 SiC 特点：第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越 半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。 核心分 2023年2月26日 设备是决定各厂商产能上限的决定性因素。 碳化硅产业资本开支加速，供应链安全可控助力国产碳化硅设备厂商突围 碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致，但部分工艺段使 用专用设备，部分需要在硅设备基础上加以改进。行 业 研 机械设备 关注碳化硅设备国产化突破和加速 究 2023