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碳化硅生产用设备

碳化硅生产用设备

2021-05-16T08:05:13+00:00

产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻

集微网 17:16:40 发布于海南爱集微APP官方账号 + 关注集微网报道，2022年以来，受全球消费电子市场整体放缓以及新冠疫情反复的影响，半导体产业在经历了持续 2023年2月26日供给侧进展:供给紧张,加速扩产 5 行业研机械设备关注碳化硅设备国产化突破和加速究 2023

打造第三代半导体碳化硅材料全产业链科友关键装备

2023年3月26日而国外对碳化硅高端设备及产品进行技术封锁，碳化硅衬底的产能缺口巨大。为推动我国第三代半导体装备及材料产业链自主可控，哈尔滨工业大学教授赵丽丽于2018年带领技术团队成立科友半导体，依托 2023年5月21日 SiC工艺及设备特点由于SiC材料具备高硬度、高熔点、高密度等特性，在材料和芯片制备过程中，存在一些制造工艺的特殊性，如单晶采用物理气相传输法（升华法），衬底切磨抛加工过程非常缓慢，外造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？工艺碳化硅中国

英罗唯森：开启碳化硅设备先河澎湃号媒体澎湃新闻The

2021年1月15日工业生产中的许多工艺都需在高温、高压和强腐蚀性的环境中进行，因此迫切需要更高效的耐腐蚀、耐高温和长周期使用的设备，碳化硅换热器正是可以充分满足 2023年5月4日碳化硅百度百科碳化硅 [ tàn huà guī] 播报锁定讨论上传视频一种无机物收藏 0 0 本词条由中国科学院化学研究所、中国科学院大学化学科学学院参与编辑并审核，经科普中国科学百科认证。碳化碳化硅百度百科

碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产

2022年3月2日 1 SiC 碳化硅：产业化黄金时代已来；衬底为产业链核心 11 SiC 特点：第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三 2020年12月2日碳化硅外延片，是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。实际应用中，宽禁带半导体器件几乎都做在外延层上，碳化硅晶片本身只作为衬底，包括GaN外延层的衬底。我国SiC外延材料研发工作开发于“ 技术碳化硅产业链条核心：外延技术知乎

中国碳化硅产业链全景图，附30家企业汇总知乎

2023年5月8日碳化硅行业企业的业态主要可以分为两种商业模式：类是覆盖较全的产业链环节，同时从事碳化硅衬底、外延及器件的制作，例如科锐公司等；第二类是只从事产业链的单个或者部分环节，例如IIVI公司等。国内碳化硅产业起步较晚。衬底方面，科锐和II 2023年2月26日设备是决定各厂商产能上限的决定性因素。碳化硅产业资本开支加速，供应链安全可控助力国产碳化硅设备厂商突围碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致，但部分工艺段使用专用设备，部分需要在硅设备基础上加以改进。行业研机械设备关注碳化硅设备国产化突破和加速究 2023

碳化硅的合成、用途及制品制造工艺

2020年6月10日碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约14t的一氧化碳 (CO 2023年5月4日碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。自1893年以来已经被大规模生产为粉末和晶体，用作磨料等。碳化硅百度百科

SiC发展神速设备XFab碳化硅

2022年8月25日这是一个需要用设备部署的大量洁净室空间。一些用于硅生产线的设备也可用于碳化硅生产线。但大批量的生产需要一些专门的工具。 IDM和代工厂需要什么？随着特斯拉的发展，意法半导体很快就实现了高销量。意法半导体汽车产品集团功率 2023年3月13日晶体制备由于物理的特性，碳化硅材料拥有很高的硬度，目前仅次于金刚石，因此在生产上势必要在高温与高压的条件下才能生产。以PVT法为例，碳化硅晶体制备面临以下困难：温场控制困难、生产速度缓慢：以目前的主流制备方法物理气相传输碳化硅 ~ 制备难点知乎

碳化硅，在三大“千亿赛道”狂飙知乎

2023年11月18日碳化硅材料主要包括单晶和陶瓷2大类，无论是作为单晶还是陶瓷，碳化硅材料目前已成为半导体、新能源汽车、光伏等三大千亿赛道的关键材料之一。例如：单晶方面，碳化硅作为目前发展最成熟的第三代半导体材料，可谓是近年来最火热的半导体材料 2023年7月17日半导体硅片生产工序流程与光伏硅片相似，但不同之处在于： 1）光伏长晶炉在整线中价值量占比超过 80%，而半导体硅片设备中单晶炉、切磨抛设备、外延炉在整线中价值量占比均较高； 2）由于技术壁垒较高，半导体硅片单台价值量远高于光伏。长晶工晶盛机电:迈向半导体+碳化硅设备龙头,设备+零部件布局铸造

第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代知乎

2021年8月16日碳化硅器件产业链主要由上游衬底材料及外延、中游器件制造、下游应用，以及各环节所用设备构成。目前产业的参与者主要以两类海外厂商为主： 1、传统功率半导体龙头：英飞凌（欧洲）、意法半导 2021年7月21日今年发布的“‘十四五’规划和2035年远景目标纲要”提出，我国将加速推动以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体新材料新技术产业化进程，催生一批高速成长的新材料企业。科技日报记者7月18日对业内专家进行采访时发现，他们对我国第三代半导体的发展碳化硅，第三代半导体时代的中国机会

碳化硅，第三代半导体时代的中国机会新华网

2021年7月21日要想生产出高质量的碳化硅晶片，就必须攻克这些技术难关。山西烁科经过反复钻研攻关，最终完全掌握了这项技术，打破了国外垄断，实现了高纯度碳化硅单晶的商业化量产。现在，山西烁科碳化硅半导体材料产能国内，市场占有率超过50%。2021年7月5日碳化硅器件的产业链主要由上游衬底材料及外延、中游器件制造和下游应用，以及各环节所用设备构成。目前产业的参与者主要以两类海外厂商为主：传统功率半导体龙头：英飞凌（欧洲）、意法半导体（欧洲）、三菱电机（日本）、安森美（美国）、瑞萨电子（日本）、罗姆（日本）等。揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道澎湃号湃客

碳化硅衬底市场群雄逐鹿碳化硅衬底制备环节流程知乎

2023年3月28日碳化硅衬底制备环节主要包括原料合成、碳化硅晶体生长、晶锭加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片抛光、抛光片清洗等环节，其中制备重难点主要是晶体生长和切割研磨抛光环节，是整个衬底生产环节中的重点与难点，成为限制碳化硅良率与产能提升的 2023年12月5日碳化硅产业链主要由衬底、外延、器件、应用等环节组成。碳化硅晶片作为半导体衬底材料，根据电阻率不同可分为导电型、半绝缘型。导电型衬底可用于生长碳化硅外延片，制成耐高温、耐高压的碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空半导体碳化硅（SIC）产业链图谱详解；知乎

碳化硅陶瓷：我不配叫“碳化硅”？烧结材料半导体

2023年6月18日液态硅或硅蒸气与坯体中C之间发生化学反应，原位生成的βSiC与坯体中原有SiC颗粒结合，形成反应烧结碳化硅陶瓷材料。碳化硅坯体反应烧结工艺流程图反应烧结碳化硅的优势是烧结温度低、生产成本低、材料致密化程度较高，特别是反应烧结过程中几 2021年12月5日本文首发自公众号：价值盐选今天我们分析一下半导体产业链，这条产业链分为很多环节，比如材料、设备、芯片设计、芯片制造、封装测试。我们先来分析其中一种材料，叫做碳化硅 SiC。 01 SiC 基本情况及产业链这个碳化硅是第三代半导体材料，第碳化硅产业链最全分析知乎

为什么碳化硅要用外延，而不是直接切一片厚的晶圆？知乎

2023年8月19日在国产外延设备方面，北方华创、晶盛机电等企业开始小批量生产碳化硅外延设备，且当下存在发展的良机。一是目前国内外延片的制备受限于设备交付环节（疫情等原因），无法快速放量，主流碳化硅高温外延设备交付周期普遍在152年以上。2021年6月30日 6月26日，露笑科技发布公告称，露笑半导体研发的碳化硅衬底片已送样检测通过，目前正在积极向下游客户进行送样；合肥露笑半导体一期生产用设备的安装调试工作已经完成，并准备近期投产。目前，露笑科技总市值为233亿。第四位：斯达A股独占鳌头的9只碳化硅龙头：半导体的核心科技三安光电

第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇知乎

2019年9月5日碳化硅功率器件生产过程衬底方面：通常用Lely法制造，国际主流产品正从4英寸向6英寸过渡，且已经开发出8英寸导电型衬底产品，国内衬底以4英寸为主，质量相对薄弱，主要用于生产10A以下小电流产 2021年10月15日泰科天润总部坐落于北京，在北京和湖南分别拥有4英寸和6英寸碳化硅半导体工艺晶圆生产线。据泰科天润近日发布消息，目前生产线已通线，进入试生产阶段，工艺设备调通，投片40工程批次以上，综合本土超20条碳化硅晶圆产线大盘点！知乎专栏

小议碳化硅的国产化知乎

2020年10月19日用这种特性制造的电力或电子元件，体积更小、传输速度更快、可靠性更高，耗能更低，最高可以降低50%以上的能量损失，积减小75% 设备方面：碳化硅生产的高端设备，基本掌握在欧美手中。国内核心设备正在加紧国产化。但检测设备与国内 2020年6月16日半导体制造之设备篇半导体需要的设备比较繁杂，在晶圆制造中，由于光刻、刻蚀、沉积等流程在芯片生产过程中需要20到50次的反复制作，是芯片前端加工过程的三大核心技术，其设备价值也最高，但半导体制造设备远远不止这些，本文将一一比较国产化半导体制造之设备篇：国产、进口设备大对比知乎

揭秘第三代芯片材料碳化硅国产替代黄金赛道芯片碳化硅

2021年7月3日揭秘第三代芯片材料碳化硅国产替代黄金赛道硅是目前制造芯片和半导体器件最广泛的原材料，90% 以上的半导体产品是以硅为原材料制成的 2020年12月8日 01 切割切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。将SiC晶棒切割成翘曲度小、厚度均匀、低切损的晶片，对于后续的研磨和抛光至关重要。与传统的内圆、外圆切割相比，多线切割具有大切削速度、高加工精度、高效率和较长的寿命等工艺详解碳化硅晶片的工艺流程知乎

打造第三代半导体碳化硅材料全产业链科友关键装备和产品

2023年3月26日而国外对碳化硅高端设备及产品进行技术封锁，碳化硅衬底的产能缺口巨大。为推动我国第三代半导体装备及材料产业链自主可控，哈尔滨工业大学教授赵丽丽于2018年带领技术团队成立科友半导体，依托国家及省市科技项目，持之以恒开展碳化硅高端装备设计及晶体材料研究。2023年6月28日国产碳化硅产业链急起直追中国是全球最大的新能源汽车市场，国家政策也鼓励发展碳化硅，全球碳化硅市场供不应求、中国新能源车市场需求碳化硅“风起”：海外巨头忙扩产能、国内产业链急追

第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展知乎

2021年6月11日本文详细论述了第三代半导体材料碳化硅 (SiC)的生产方法、研究进展和产业化现状，提出了未来努力的方向和解决的方案，并展望了其未来的发展趋势和应用前景。同代半导体材料硅 (Si)、锗 (Ge)和第二代半导体材料砷化镓 (GaAs)、磷化液 (InP)相 2023年4月26日缺点在于 HTCVD 法和 PVT 一样需要高温条件，需要用到多种气体，成本较高，而且生长过程存在多种附带。目前，意法半导体、丰田集团和电装集团等已实现 HTCVD 规模化生产碳化硅晶体，国内江苏碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备

碳化硅器件目前有什么生产难点？？知乎

2020年6月16日虽然离子注入和退火的目的和传统器件制备没有什么区别，但是由于碳化硅材料的特性，退火的温度要高达1600摄氏度左右，在这么高的温度下，如何保证晶圆表面粗糙度，又要达到高的离子激活率和相 2021年1月12日碳化硅业务龙头 6月26日，露笑科技发布公告称，露笑半导体研发的碳化硅衬底片已送样检测通过，目前正在积极向下游客户进行送样；合肥露笑半导体一期生产用设备的安装调试工作已经完成，并准备近 A股独占鳌头的9只碳化硅龙头：半导体的核心科技知乎

最佳窗口，碳化硅（SiC）进击8英寸工艺节点获全球青睐知乎

2023年6月28日在新能源汽车、光伏、储能等市场持续推动下，国产碳化硅产业商业化持续推进，获得国际功率半导体巨头青睐和结盟，积极追赶更为先进的8英寸工艺节点，碳化硅产品价格有望步入“甜蜜点”。为什么碳化硅会成为“焦点”？一切得从源头讲起，碳化硅功率器件的特点和优势具体体现在以下几个 2020年10月12日同时，粉料合成设备、长晶炉，也是自己研发、生产的全国产化的设备，具有连续工作高稳定性和良好精度保持性。碳化硅粉料，纯度在999999% 据介绍，研制碳化硅晶片，高纯碳化硅粉料是步，粉料制作完成后，最关键的工序是晶体生长。聚焦六新率先转型丨烁科晶体：年产75万片碳化硅，核心

第三代半导体SiC产业链及市场应用研究碳化硅材料高温

2023年1月4日制作碳化硅器件的大部分设备与传统硅的生产设备相同，但由于碳化硅材料硬度高、熔点高等特性，需要一些特殊的生产设备与工艺。 SiC所需的特定设备包括高温退火炉、高温离子注入机、SiC减薄设备、背面金属沉积设备、背面激光退火设备、SiC沉底和外延片表面缺陷检测和计量设备等。2023年12月1日从上图可见，碳化硅与硅器件的制造方法相近，但由于碳化硅与硅材料性质不同，一些工艺存在较大差异（1）离子注入是最重要的工艺。硅器件制造中可以采用扩散、离子注入的方法进行掺杂，但碳化硅器件只能采用离子注入掺杂。因为碳硅结合力较强半导体碳化硅（SIC）功率器件的制造；知乎

新能源｜碳化硅产业链研究（产业链篇）器件工艺流程外延

2022年8月24日碳化硅生产流程主要涉及以下过程： 1）单晶生长，以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料形成碳化硅晶体；2）衬底环节，碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成单晶薄片，也即半导体衬底材料； 3）外延片环节，通常使用化学气相沉积（CVD）方法 2023年10月27日目前合成单晶生长用高纯 SiC 的方法并不多，以 CVD 法和改进的自蔓延合成法为主。CVD 法合成的 SiC 粉体纯度高，粒径小，能够较好地满足 SiC 单晶生长的需求，然而其合成速率较低，产量少，现阶段无法满足工业生产的要求。碳化硅（SIC）单晶生长用高纯碳化硅（SIC）粉体的详解

盘点国内SiC碳化硅衬底与外延片公司（附碳化硅投资逻辑

2023年11月29日国内主要SiC碳化硅衬底企业汇总 1、山东天岳先进科技股份有限公司（）公司成立于 2010 年，主营业务是宽禁带半导体（第三代半导体）碳化硅衬底材料的研发、生产和销售，产品可应用于微波电子、电力电子等领域。碳化硅半导体材料项目计划于 2026 年 2022年3月2日 1 SiC 碳化硅：产业化黄金时代已来；衬底为产业链核心 11 SiC 特点：第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产

技术碳化硅产业链条核心：外延技术知乎

2020年12月2日碳化硅外延片，是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。实际应用中，宽禁带半导体器件几乎都做在外延层上，碳化硅晶片本身只作为衬底，包括GaN外延层的衬底。我国SiC外延材料研发工作开发于“ 2023年5月8日碳化硅行业企业的业态主要可以分为两种商业模式：类是覆盖较全的产业链环节，同时从事碳化硅衬底、外延及器件的制作，例如科锐公司等；第二类是只从事产业链的单个或者部分环节，例如IIVI公司等。国内碳化硅产业起步较晚。衬底方面，科锐和II 中国碳化硅产业链全景图，附30家企业汇总知乎

行业研机械设备关注碳化硅设备国产化突破和加速究 2023

2023年2月26日设备是决定各厂商产能上限的决定性因素。碳化硅产业资本开支加速，供应链安全可控助力国产碳化硅设备厂商突围碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致，但部分工艺段使用专用设备，部分需要在硅设备基础上加以改进。2020年6月10日碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约14t的一氧化碳 (CO 碳化硅的合成、用途及制品制造工艺

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2023年5月4日碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。自1893年以来已经被大规模生产为粉末和晶体，用作磨料等。2022年8月25日这是一个需要用设备部署的大量洁净室空间。一些用于硅生产线的设备也可用于碳化硅生产线。但大批量的生产需要一些专门的工具。 IDM和代工厂需要什么？随着特斯拉的发展，意法半导体很快就实现了高销量。意法半导体汽车产品集团功率 SiC发展神速设备XFab碳化硅

碳化硅 ~ 制备难点知乎

2023年3月13日晶体制备由于物理的特性，碳化硅材料拥有很高的硬度，目前仅次于金刚石，因此在生产上势必要在高温与高压的条件下才能生产。以PVT法为例，碳化硅晶体制备面临以下困难：温场控制困难、生产速度缓慢：以目前的主流制备方法物理气相传输 2023年11月18日碳化硅材料主要包括单晶和陶瓷2大类，无论是作为单晶还是陶瓷，碳化硅材料目前已成为半导体、新能源汽车、光伏等三大千亿赛道的关键材料之一。例如：单晶方面，碳化硅作为目前发展最成熟的第三代半导体材料，可谓是近年来最火热的半导体材料碳化硅，在三大“千亿赛道”狂飙知乎

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